- N +

光耦合器检测报告项目和标准介绍

检测报告图片样例

光耦合器检测需要根据标准内指定项目、方法进行,GB国标、行标、外标、企标、地方标准。光耦合器检测样品检测报告结果会与标准中要求对比,在报告中体现产品质量。第三方检测机构可提供光耦合器检测报告办理,工程师一对一服务,根据需求选择对应检测标准及项目,制定检测方案后安排实验室寄样检测。光耦合器检测周期3-15个工作日,可加急(特殊项目除外),欢迎咨询。

百检第三方检测机构目前与全国多家实验室合作,为您的企业提供相关产品检测相关服务。工程师一对一服务,合作实验室拥有CMA、CNAS、CAL等资质,检测报告真实有效。

光耦合器检测项目:

检测项目:

反向击穿电压(二*管)、反向电流(二*管)、正向电压(输入二*管)、正向电流(二*管)、输出截止电流、集电*-发射*反向击穿电压、集电*-发射*饱和电压、X射线检查、内部气体成份分析、内部目检、剪切强度、外部目检、密封、扫描电子显微镜(SEM)检查、粒子碰撞噪声检测(PIND)、键合强度、扫描电子显微镜(SEM)检查、电流传输比、集电*-发射*击穿电压、正向电压、逻辑低电压水平、反向电流、发射*-基*击穿电压、发射*-集电*击穿电压、集电*-发射*截止电流、集电*-基*击穿电压、集电*-基*截止电流、粒子碰撞噪声检测(PIND)、外观检查、高温试验、回波损耗、高低温循环试验、低温试验、正向压降、反向截止电流、饱和电压、反向击穿电压

光耦合器检测标准:

检测标准:

1、SJ2215.2-1982 半导体光耦合器(二*管)正向压降的检测方法SJ 2215.2-1982

2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件检测方法 5.1

3、GJB 4027A-2006 *用电子元器件破坏性物理分析方法 1201

4、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双*型晶体管 GB/T 4587-1994

5、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 表D1

6、SJ2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的检测方法SJ 2215.8-1982

7、GJB4027A-2006 *用电子元器件破坏性物理分析 工作项目1201第2.7条

8、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990

9、YD/T 1117-2001 全光纤型分支器件技术条件 YD/T 1117-2001

10、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 附录D表D1

11、GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 方法 2076

12、SJ2215.9-1982 半导体光耦合器(三*管)反向截止电流的检测方法 SJ 2215.9-1982

13、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二*管 第IV第1节1

14、SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器检测方法 SJ/T2215-2015

15、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990

16、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 2018.1

17、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件检测方法 GB/T 15651.3-2003

18、SJ2215.7-1982 半导体光耦合器集电*-发射*反向击穿电压的检测方法SJ 2215.7-1982

19、SJ2215.4-1982 半导体光耦合器(二*管)反向电流的检测方法 SJ 2215.4-1982

20、YD/T1117-2001 全光纤型分支器件技术条件

百检检测报告办理流程:

1、通过网站联系方式与客服进行沟通

2、确认需求后,推荐并制订方案,随后进行报价

3、确认方案及报价后,安排样品邮寄至指定实验室进行检测

4、样品寄送到实验室后,等待实验室检测结果

5、实验室检测完毕后出具相应报告,如需纸质报告则安排邮寄

在办理期间如需加急,需要及时沟通并安排加急服务

检测报告有什么用?

1、 入驻天猫、京东等电商平台。

2、 进入大型超市或卖场。

3、 招投标。

4、 工程验收。

5、 宣传用报告。

6、 供应商要求。

检测项目及检测标准相关信息就介绍到这里。第三方检测机构期待与您的合作,详情请联系百检客服。

检测流程步骤

检测流程步骤

温馨提示:以上内容仅供参考使用,更多检测需求请咨询客服。

返回列表
上一篇:设备用断路器检测报告项目和标准介绍
下一篇:返回列表