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检测周期

一般3-15个工作日，可加急。

检测方式

可寄样检测、目测检测、见证试验、现场检测等。

检测费用

具体根据光电三*管检测检测数量和项目而定。详情请咨询在线客服。

检测产品

0光电三*管简介

光电三*管也是一种晶体管，它有三个电*。当光照强弱变化时，电*之间的电阻会随之变化。

1光电三*管基本结构

光电晶体管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电*电流不只是受基*电路的电流控制，也可以受光的控制。

· 光电晶体管的外形，有光窗、集电*引出线、发射*引出线和基*引出线（有的没有）。

· 制作材料一般为半导体硅，管型为NPN型，

· 国产器件称为3DU系列。

· 光电晶体管的灵敏度比光电二*管高，输出电流也比光电二*管大，多为毫安级。

· 但它的光电特性不如光电二*管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。

· 所以光电晶体管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。

· 正常运用时，集电*加正电压。因此，集电结为反偏置，发射结为正偏置，集电结为光电结。

· 当光照到集电结上时，集电结即产生光电流Ip向基区注入，同时在集电*电路即产生了一个被放大的电流Ic（=Ie=（1+β）Ip）β为电流放大倍数。

因此，光电晶体管的电流放大作用与普通晶体管在上偏流电路中接一个光电二*管的作用是完全相同的。

2光电三*管工作原理

光电三*管是在光电二*管的基础上发展起来的光电器件，它本身具有放大功能。常见的光电三*管外形如图l所示，文字符号表示为VT或V。

目前的光电三*管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三*管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基区面积做得较大，发射区面积却做得较小，入射光线主要被基区吸收。与光电二*管一样，入射光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用下，电子被拉向集电区，而空穴被积聚在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压，从而引起了倍率为β+1(相当于三*管共发射*电路中的电流增益)的电子注入，这就是硅光电三*管的工作原理。

光电三*管的应用电路

光电三*管主要应用于开关控制电路及逻辑电路。

3光电三*管种类选择

由外观上, 可以区分为罐封闭型和树脂封入型, 而各型又可分别分为附有透镜之型式 及单纯附有窗口之型式.就半导体晶方 言之,材料有硅(Si)和锗(Ge),大部份为硅.在晶方构造方面,可分为普通晶体管型和达林顿 晶体管型.再从用途加以分类时,可以分为以交换动作为目的之光敏三*管和需要直线性之光敏三*管,但光敏三*管的主流为交换组件,需要直线性时,通常使用光二*管.

在实际选用光敏三*管时,应注意按参数要求选择管型.如要求灵敏度高,可选用达林顿型光敏三*管;如要求响应时间快,对温度敏感性小,就不选用光敏三*管而选用光敏二*管.探测暗光一定要选择暗电流小的管子,同时可考虑有基*引出线的光敏三*管,通过偏置取得合 适的工作点,提高光电流的放大系数.例如,探测10-3勒克斯的弱光,光敏三*管的暗电流必须小于0.1nA.

4光电三*管基本特性

伏安曲线

光电三*管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电*电流都为零。偏置电压要保证光电三*管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。

光电三*管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三*管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。

时间响应

光电三*管的时间响应常和PN结的结构及偏置电路等参数有关。

光电三*管的时间响应由以下四部分组成：

① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；② 光生载流子渡越基区所需要的时间；

③ 光生载流子被收集到集电*的时间；

④输出电路的等效负载电阻RL和等效电容Cce所构成的RC时间；

总时间常数为上述四项和。比光电二*管的时间响应长。

温度影响

硅光电二*管和硅光电三*管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三*管具有电流放大作用，所以硅光电三*管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光电二*管大得多。

光谱响应

光电二*管和光电三*管具有相同的光谱响应。

它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μm。

5光电三*管测试方法

(1)电阻测量法(指针式万用表1kΩ挡)。黑表笔接c*，红表笔接e*，无光照时指针微动(接近∞)，随着光照的增强电阻变小，光线较强时其阻值可降到几kΩ～1kΩ以下。再将黑表笔接e*，红表笔接c*，有无光照指针均为∞(或微动)，这管子就是好的。

(2)测电流法。工作电压5V，电流表串接在电路中，c*接正，e*接负，。无光照时小于0?3μA；光照增加时电流增加，可达2～5mA。

若用数字式万用表20kΩ挡测试，红表笔接c*，黑表笔接e*，完全黑暗时显示1，光线增强时阻值随之降低，较小可达1kΩ左右。

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检测流程步骤

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