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四探针电阻率检测检验认证测试

检测报告图片

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四探针电阻率检测有哪些参考依据?检测标准有哪些?费用是多少?百检检测可依据相关标准制定试验方案。对导电陶瓷薄膜、硅晶体、硅晶片等样品进行检测分析。并出具严谨公正的检测报告。

项目简介

四探针检测技术,简称为四探针法,是测量半导体电阻率*常用的一种方法;

四探针检测技术,是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上,由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I,然后测量出中间两根探针之间的电压V,就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W(远小于长和宽)的薄半导体片,得到电阻率为ρ=ηW(V/I),式中η是修正系数。

适用样品

锗单晶、导电陶瓷薄膜、硅晶体、硅晶片、硅棒、硅外延层、半导体材料等。

粉体提供3-5g,压片检测,至少保证压实后体积不小于1cm3;薄膜,提供准确膜厚,厚度均匀;块体上下平行,*好抛光处理;厚度务必在 50μm至3mm之间,不得超过3mm,长宽*佳尺寸:10mm×10mm以上。

相关参考标准

GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法

KS L 1619-2013(2018) 四探针阵列导电陶瓷薄膜电阻率检测方法

KS C 0256-2002(2017) 具有四点探针的硅晶体和硅晶片的电阻率检测方法

KS C 0256-2002(2022) 硅晶体和硅片电阻率的四点探针检测方法

ASTM F672-88(1995)e1 用扩展电阻探针测量垂直于硅片表面电阻率分布的标准试验方法

ASTM F397-93(1999) 用两点探针测定硅棒电阻率的标准试验方法

JIS R1637-1998 用四点探针排列法测定传导精细陶瓷薄膜电阻率的试验方法

SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针.检测方法

SJ/T 10314-1992 直流四探针电阻率检测仪通用技术条件

KS D 0260-1989(1994) 具有四点探针的单晶硅片的电阻率检测方法

DIN 50431-1988 半导体材料的试验.用探针直线排列的四探针/直流法测量单晶硅或锗单晶体的电阻率

办理检测报告的目的

1、评定产品质量的好坏;

2、判断产品质量等级,即缺陷严重程度;

3、对工艺流程进行检验和工序质量的监督;

4.对质量数据进行搜集统计与分析,以便为质量改进与质量管理活动的开展奠定基础;

检测时间周期

一般3-10天出报告,有的项目1天出报告,具体根据四探针电阻率检测检验认证测试项目而定。

检测报告有效期

一般四探针电阻率检测检验认证测试报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。

检测流程步骤

1、电话沟通、确认需求;

2、推荐方案、确认报价;

3、邮寄样品、安排检测;

4、进度跟踪、结果反馈;

5、出具报告、售后服务;

6、如需加急、优先处理;

检测流程步骤

温馨提示:以上关于《四探针电阻率检测检验认证测试》内容仅为部分列举供参考使用,百检网汇集众多CNAS、CMA、CAL等资质的检测机构遍布全国,更多检测需求请咨询客服。

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