GB/T 39145-2020.Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers-Inductively coupled plasma mass spectrometry.
1范围
GB/T 39145规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。
GB/T 39145适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其较新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 6624硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 14264半 导体材料术语
GB/T 17433冶金产品化学分析基础术语
GB/T 19921硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 25915.1-2010洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
GB/T 37837四级杆电感耦合 等离子体质谱方法通则
JJF 1159 四级杆电感耦合等离子体质谱仪校准规范
SEMI F63半 导体加工用超纯水指南(Guide for ultrapure water used in semiconductor processing)
3术语和定义
GB/T 14264、GB/T 17433、GB/T 37837和JJF 1159界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
扫描溶液 scanning solution
通过扫描方式收集的含有硅片表面痕量金属元素的溶液。
3.2
直接酸滴分解法 direct acid droplet decomposition ;DADD
用含有氢氟酸的提取液分解硅片表面的氧化层,形成疏水性表面,使硅片表面的痕量金属被收集到提取液中形成扫描溶液。

检测流程步骤

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