标准简介：本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。

标准号：GB/T 19444-2004

标准名称：硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法

英文名称：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2004-02-05

实施日期：2004-07-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>绝缘流体>>29.040.01绝缘流体综合

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.

检测流程步骤

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