紫外光半导体检测报告如何办理?检测项目及标准有哪些?百检第三方检测机构,严格按照紫外光半导体检测相关标准进行测试和评估。做检测,找百检。我们只做真实检测。
涉及紫外光 半导体的标准有500条。
国际标准分类中,紫外光 半导体涉及到光学和光学测量、光电子学、激光设备、分析化学、集成电路、微电子学、陶瓷、半导体分立器件、航空航天用电气设备和系统、半导体材料、医疗设备、无机化学、辐射防护、光纤通信、电子设备用机械构件、整流器、转换器、稳压电源、化工产品、技术制图、电子元器件综合、密封件、密封装置、农业和林业、图形符号、印制电路和印制电路板、词汇、环境试验、兽医学、电线和电缆、工业自动化系统、物理学、化学、辐射测量、电子电信设备用机电元件、燃料。
在中国标准分类中,紫外光 半导体涉及到无机化工原料综合、半导体发光器件、光电子器件综合、激光器件、特种陶瓷、半导体光敏器件、机场地面服务系统及设备、半导体集成电路、其他、半金属与半导体材料综合、、无机盐、辐射防护监测与评价、微电路综合、半导体三极管、电子技术专用材料、计算机应用、技术管理、半导体分立器件综合、光通信设备、电子设备机械结构件、石油产品综合、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、医用超声、激光、高频仪器设备、其他日用品、电力半导体器件、部件、物理学与力学、医用光学仪器设备与内窥镜、辐射防护与监测综合、电子光学与其他物理光学仪器、基础标准与通用方法、可靠性和可维护性、电缆及其附件、农药管理与使用方法、半导体整流器件、电子工业生产设备综合、太阳能、供气器材设备、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、电子设备用导线、电缆、载波通信设备、合成材料综合、带绝缘层电线、元素半导体材料、医疗器械。
法国标准化协会,关于紫外光 半导体的标准
NF ISO 10677:2011技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
NF B44-103*NF ISO 10677:2011细瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷)测试半导体光催化材料所用的紫外光源
NF C96-045:1992半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路(混合电路除外)的分规范
NF C86-503:1986半导体器件.电子元器件统一质量评审体系.光电晶体管、光电复合晶体管和光电半导体电路.空白详细规范CESS 20 003
NF S11-698:1998眼科光学.隐形眼镜.暴露于紫外线和可见光辐射的老化现象(体外法)
NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020半导体设备 第 5-5 部分:光电设备 光电耦合器
NF EN IEC 60747-5-5:2020半导体器件 - 第 5-5 部分:光电器件 - 光电耦合器
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
NF EN 60191-6:2011半导体器件机械标准化 第6部分:表面贴装半导体器件封装外形图编制通用规则
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009光纤系统用半导体光电器件 第2部分:测量方法
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
NF C96-013-6*NF EN 60191-6:2011半导体器件的机械标准 第6部分:表面贴装半导体器件封装的外形图准备的一般规则
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018半导体器件的机械标准化 第4部分:编码系统和半导体器件封装封装外形形式的分类
NF EN 17178:2019液体石油产品 紫外荧光光谱法测定液化石油气中挥发性硫含量
NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015半导体设备 分离式设备 第5-5部分:光电设备 光耦合器
NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012半导体器件 分立元件 第5-5部分:光电器件 光电耦合器
NF EN 62007-2:2009光纤系统中应用的半导体光电器件 - 第 2 部分:测量方法
XP CEN/TS 16599:2014光催化 确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于紫外光 半导体的标准
GB/T 37131-2018纳米技术半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
GB/T 7092-2021半导体集成电路外形尺寸
GB/T 15879.4-2019半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形的分类和编码体系
GB/T 36358-2018半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
GB/T 39771.2-2021半导体发光二极管光辐射安全 第2部分:测试方法
GB/T 21548-2021光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法
GB/T 36646-2018制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
行业标准-电子,关于紫外光 半导体的标准
SJ/T 11818.1-2022半导体紫外发射二极管 第1部分:测试方法
SJ/T 11818.2-2022半导体紫外发射二极管 第2部分:芯片规范
SJ/T 11818.3-2022半导体紫外发射二极管 第3部分:器件规范
SJ 2684-1986半导体发光(可见光)器件外形尺寸
SJ 2247-1982半导体光电子器件外形尺寸
SJ 2750-1987半导体激光二极管外形尺寸
SJ 2658.1-1986半导体红外发光二极管测试方法.总则
SJ 20744-1999半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
SJ 50033/109-1996半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范
SJ/T 11397-2009半导体发光二极管用荧光粉
SJ 20642-1997半导体光电模块总规范
SJ 20786-2000半导体光电组件总规范
SJ 2218-1982半导体光敏二极管型光耦合器
SJ 2219-1982半导体光敏三极管型光耦合器
SJ 2658.6-1986半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法
SJ 20072-1992半导体分立器件.GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器.详细规范
SJ 50033/110-1996半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范
SJ 53930/1-2002半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范
SJ 2658.4-1986半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
SJ 2658.12-1986半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法
SJ 2220-1982半导体达林顿型光耦合器
SJ 2558-1984SM1~18型半导体发光数码管
SJ 2658.2-1986半导体红外发光二极管测试方法.正向压降测试方法
SJ 2658.3-1986半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法
SJ/T 2215-2015半导体光电耦合器测试方法
SJ 2749-1987半导体激光二极管测试方法
SJ 2214.1-1982半导体光敏管测试方法总则
SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法
SJ/T 2214-2015半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
SJ 2658.7-1986半导体红外发光二极管测试方法.辐射通量的测试方法
SJ 2658.10-1986半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法
SJ/T 11856.3-2022光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分:光源用电吸收调制型半导体激光器芯片
SJ 2355.1-1983半导体发光器件测试方法.总则
SJ 2215.1-1982半导体光耦合器测试方法总则
SJ/T 11856.2-2022光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分:光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片
SJ 2658.13-1986半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率温度系数的测试方法
SJ/T 2658.16-2016半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
SJ 50923/2-1995G2-01B-M1型和G2-01B-Z1型半导体光敏器件金属外壳详细规范
SJ 2658.8-1986半导体红外发光二极管测试方法.法向辐射率的测试方法
SJ 50033.40-1994GT11型半导体硅NPN光敏晶体管详细规范
SJ 50033/4-1994半导体分立器件.GP和GT级GF 111型半导体红色发光二极管详细规范
SJ 50033/6-1994半导体分立器件.GP和GT级GF 411型半导体绿色发光二极管详细规范
SJ 50033/5-1994半导体分立器件.GP和GT级GF 311型半导体黄色发光二极管详细规范
SJ 50033/3-1994半导体分立器件.GP、GT和GCT级GH21、GH22和GH23型半导体光耦合器详细规范
SJ 2214.10-1982半导体光敏二、三极管光电流的测试方法
SJ 20642.5-1998半导体光电模块GH82型光耦合器详细规范
SJ 20642.4-1998半导体光电模块GH81型光耦合器详细规范
SJ 20642.6-1998半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范
SJ/T 11402-2009光纤通信用半导体激光器芯片技术规范
SJ 2658.5-1986半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法
SJ 2658.11-1986半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法
SJ 50923/1-1995A6-02A-M2(Z2)和A6-01B-M1(Z1) 型半导体光耦合器金属外壳详细规范
SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法
SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱
SJ 50033/111-1996半导体光电子器件GTI6型硅NPN光电晶体管详细规范
SJ 50033/41-1994GR9414型半导体红外发射二极管详细规范
SJ 2658.9-1986半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度角的测试方法
SJ/T 11067-1996红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
SJ 2355.5-1983半导体发光器件测试方法.法向光强和半强度角的测试方法
SJ/Z 3206.13-1989半导体材料发射光谱分析方法通则
SJ 50033/101-1995GJ1325半导体激光二极管组件详细规范
SJ 50033/35-1994GH30型半导体高速光耦合器详细规范
SJ 2355.7-1983半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法
SJ/Z 9021.4-1987半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分以及编号体系
SJ/T 10308-1992半导体集成电路陶瓷扁平外壳详细规范
SJ/T 10176-1991半导体集成电路金属菱形外壳详细规范
SJ/T 11856.1-2022光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分:光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片
SJ 50033/112-1996半导体光电子器件.GD3251Y型光电二极管详细规范
SJ 2355.6-1983半导体发光器件测试方法.光通量的测试方法
SJ 50033/113-1996半导体光电子器件.GD3252Y型光电二极管详细规范
SJ 2214.3-1982半导体光敏二极管暗电流的测试方法
SJ 2214.5-1982半导体光敏二极管结电容的测试方法
SJ 2214.8-1982半导体光敏三极管暗电流的测试方法
SJ/T 11398-2009功率半导体发光二极管芯片技术规范
SJ 20642.3-1998半导体光电模块GD83型PIN-FET光接收模块详细规范
SJ 20644.1-2001半导体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极管详细规范
SJ 20644.2-2001半导体光电子器件GD101型PIN光电二极管详细规范
SJ 20642.2-1998半导体光电模块GD82型PIN-FET光接收模块详细规范
SJ 2214.2-1982半导体光敏二极管正向压降的测试方法
SJ 2214.7-1982半导体光敏三极管饱和压降的测试方法
SJ 20957-2006大功率半导体激光二级管阵列通用规范
SJ 20786.1-2002半导体光电组件.CBGS2301微型双向光电定位器.详细规范
SJ 50033/136-1997半导体光电子器件.GF116型红色发光二极管详细规范
SJ 50033/143-1999半导体光电子器件.GF1120型红色发光二极管详细规范
SJ 50033/137-1997半导体光电子器件.GF216型橙色发光二极管详细规范
SJ 20642.1-1998半导体光电模块GD81型DIN-FET光接收模块详细总规范
SJ/T 11405-2009光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法
SJ 50033/139-1998半导体光电子器件.GF4111型绿色发光二极管详细规范
SJ 50033/138-1998半导体光电子器件.GF318型黄色发光二极管详细规范
SJ 50033/58-1995半导体光电子器件GF413型绿色发光二极管详细规范
SJ/T 11393-2009半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范
SJ 50033/142-1999半导体光电子器件.GF4112型绿色发光二极管详细规范
SJ 50033/57-1995半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范
SJ/T 10307-1992半导体集成电路陶瓷熔封扁平外壳详细规范
SJ 2757-1987重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
SJ 51420/1-1996半导体集成电路D型陶瓷双列外壳详细规范
SJ 51420/2-1998半导体集成电路F型陶瓷扁平外壳详细规范
SJ 51420/3-2003半导体集成电路陶瓷针栅阵列外壳.详细规范
SJ/T 11866-2022半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
SJ/T 11400-2009半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范
SJ 2215.6-1982半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法
SJ 2215.8-1982半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法
SJ/T 2658.1-2015半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
SJ 20074-1992半导体集成电路Jμ8305A型可编程外设接口详细规范
SJ/T 2658.12-2015半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽
SJ 50033/99-1995半导体光电子器件.GF511型橙/绿双色发光二极管详细规范
SJ 20642.7-2000半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范
SJ/T 11817-2022半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范
SJ 2215.14-1982半导体光耦合器入出间绝缘耐压的测试方法
SJ 2215.3-1982半导体光耦合器(二极管)正向电流的测试方法
SJ 2214.4-1982半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
SJ 2215.4-1982半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法
SJ 2215.10-1982半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法
SJ 2215.12-1982半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法
SJ 50033/114-1996半导体光电子器件.GD3283Y型位敏探测器详细规范
SJ 2215.2-1982半导体光耦合器(二极管)正向压降的测试方法
韩国科技标准局,关于紫外光 半导体的标准
KS D 2717-2008(2018)紫外-可见-近红外吸收光谱法评价单壁碳纳米管烟灰的金属/半导体比
KS C 6942-1999光纤传输用半导体激光模块通则
KS C 6943-1999光纤传输用半导体激光模块测定方法
KS C IEC 60748-11:2004半导体器件.集成电路.第11部分:半导体集成电路(混合电路除外)的分规范
KS C IEC 60748-2-9:2002半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第9节:MOS超紫外光可删除可编程只读存储器空白详细规范
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017)半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022)半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
KS C IEC 62007-2:2003光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法
KS C IEC 60748-11-1:2004半导体器件.集成电路.第11部分第1节:半导体集成电路(混合电路除外)内部目视检查
KS C IEC 60747-5:2020半导体器件分立器件第5部分:光电器件
KS C IEC PAS 62240-2008(2018)在制造商规定的温度范围外使用半导体器件
KS C IEC 62007-2-2003(2018)光纤系统应用的半导体光电器件 - 第2部分:测量方法
KR-KS,关于紫外光 半导体的标准
KS L ISO 10677-2023精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷)半导体光催化材料测试用紫外光源
KS C IEC 60747-5-2020半导体器件分立器件第5部分:光电器件
英国标准学会,关于紫外光 半导体的标准
BS ISO 10677:2011精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
BS IEC 60747-5-4:2022半导体器件-光电器件 半导体激光器
BS IEC 60747-5-4:2006半导体器件.分立器件.光电器件.半导体激光器
BS IEC 60747-14-11:2021半导体器件 半导体传感器 基于声表面波的紫外、照度和温度测量集成传感器的测试方法
19/30404095 DCBS EN IEC 60747-5-4 半导体器件 第5-4部分 光电器件 半导体激光器
23/30473272 DCBS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半导体器件 第 5-4 部分 光电器件 半导体激光器
19/30390371 DCBS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
18/30362458 DCBS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
BS EN IEC 60747-5-5:2020半导体器件 光电器件 光电耦合器
BS IEC 60748-11:2000半导体器件.集成电路.半导体集成电路(混合电路除外)的分规范
BS IEC 60748-11:1991半导体器件 集成电路 半导体集成电路(混合电路除外)的分规范
BS EN 62007-2:2000光纤系统半导体光电器件.测量方法
BS EN ISO 11985:1998眼科光学.接触镜.暴露于紫外线和可见光辐射的老化(体外法)
BS EN 62007-2:2009光纤系统用半导体光电器件.测量方法
PD IEC TR 61292-9:2023跟踪更改 光放大器 半导体光放大器(SOA)
BS EN 60191-4:2014半导体器件的机械标准化. 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
BS EN 60191-4:2014+A1:2018半导体器件机械标准化 半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类
BS ISO 17915:2018光学和光子学 传感用半导体激光器的测量方法
BS EN 60747-5-5:2011半导体器件.分立器件.光电器件.光电耦合器
BS EN 60191-6:2010半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS EN 60191-6:2005半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS EN 60191-6:2004半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS EN 60191-6:2009半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS EN 62007-1:2000光纤系统半导体光电器件.基本额定值及特性
BS QC 790106:1995电子元件质量评估协调制度规范 半导体器件 集成电路 数字集成电路 空白详细规范 MOS紫外光可擦电可编程只读
BS IEC 60747-18-4:2023半导体器件 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性评估方法
BS EN 60191-6-18:2010半导体设备的机械标准化.平面式安装半导体器件外壳外形图绘制的一般规则.球栅阵列(BGA)用设计指南
BS IEC 60747-18-2:2020半导体器件 半导体生物传感器 无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的评估流程
BS IEC 60747-18-5:2023半导体器件 半导体生物传感器 通过光入射角评估无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的光响应特性的方法
BS EN 61207-7:2014气体分析仪性能表示. 可调半导体激光器气体分析仪
BS EN 61207-7:2013气体分析器性能表示. 可调谐半导体激光气体分析器
BS EN 60191-6-21:2010半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.小外形封装(SOP)尺寸的测量方法
PD IEC TR 60747-5-12:2021半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法
BS PD ISO/TS 17466:2015在镉硫胶体量子点表征中使用紫外-可见吸收光谱法
PD ISO/TS 17466:2015使用紫外-可见吸收光谱表征镉硫族化物胶体量子点
BS EN 60191-6-10:2003半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON的尺寸
BS IEC 60747-5-1:1998分立半导体器件和集成电路.光电器件.概述
BS EN 60747-5-1:1998半导体分立器件和集成电路 光电器件 总则
BS EN 60747-5-1:2001半导体分立器件和集成电路.光电器件.总则
BS EN 14255-4:2006暴露在非相干光辐射中人体的测量和评估.紫外光、可见光和红外辐射测量用术语和程度
PD IEC/PAS 62240:2001制造商规定温度范围以外的半导体器件的使用
BS EN 60749-3:2017半导体器件 机械和气候测试方法 外部目视检查
BS IEC 63229:2021半导体器件 碳化硅衬底氮化镓外延膜缺陷分类
BS IEC 60747-18-3:2019半导体器件 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
BS IEC 60747-18-1:2019半导体器件 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器校准的测试方法和数据分析
BS IEC 63068-3:2020半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷无损识别标准光致发光缺陷测试方法
BS EN 17178:2019液体石油产品 紫外荧光光谱法测定液化石油气中总挥发性硫含量
国家*用标准-总装备部,关于紫外光 半导体的标准
GJB 33/15-2011半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范
GJB 8190-2015飞机外部照明用半导体固体光源通用规范
GJB 33/16-2011半导体光电子器件3DU32型半导体光敏晶体管详细规范
GJB 33/17-2011半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范
GJB/Z 41.3-1993*用半导体分立器件系列型谱半导体光电子器件
GJB 33/18-2011半导体光电子器件 GO417型双向半导体光电耦合模拟开关详细规范
GJB 1420A-1999半导体集成电路外壳总规范
GJB 8121-2013半导体光电组件通用规范
GJB 8120-2013半导体光电模块通用规范
GJB 3519-1999半导体激光二极管总规范
GJB 1420B-2011半导体集成电路外壳通用规范
GJB 923A-2004半导体分立器件外壳通用规范
GJB 923B-2021半导体分立器件外壳通用规范
GJB 8119-2013半导体光电子器件通用规范
GJB 2146A-2011半导体发光二极管器件通用规范
GJB 1934-1994皱纹外导体半硬同轴射频电缆总规范
GJB 1557A-2021半导体分立器件 微波二极管外形尺寸
GJB 1557-1992半导体分立器件微波二级管外形尺寸
GJB 1934A-2009皱纹外导体半硬射频同轴电缆通用规范
GJB 1420/1-2000半导体集成电路陶瓷双列外壳详细规范
GJB 33/20-2011半导体光电子器件 GH302型光电耦合器详细规范
GJB 33/22-2011半导体光电子器件 GO103型光电耦合器详细规范
GJB 1420B-2011(XG1-2015)半导体集成电路外壳通用规范 修改单1-2015
GJB 33/21-2011半导体光电子器件 GD310A系列光电耦合器详细规范
GJB 33/23-2011半导体光电子器件 GH3201Z-4型光电耦合器详细规范
GJB 33/19-2011半导体光电子器件GH302-4型光电耦合器详细规范
GJB 5018-2001半导体光电子器件筛选与验收通用要求
美国机动车工程师协会,关于紫外光 半导体的标准
SAE AIR5468-2000标记飞机导线用紫外线激光器
国际电工委员会,关于紫外光 半导体的标准
IEC 60747-5-4:2022半导体器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器
IEC 60747-5-4:2006半导体器件.分立器件.第5-4部分:光电器件.半导体激光器
IEC 60747-14-11:2021半导体器件 第 14-11 部分:半导体传感器 用于测量紫外线、照度和温度的基于表面声波的集成传感器的测试方法
IEC TR 61292-9:2013光放大器第9部分:半导体光放大器
IEC TR 61292-9:2023 RLV光放大器.第9部分:半导体光放大器(SOA)
IEC TR 61292-9:2023光放大器.第9部分:半导体光放大器(SOA)
IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形的编码系统和分类
IEC 60747-5-7:2016半导体设备. 第5-7部分: 光电设备. 光电二极管和光电晶体管
IEC 60747-5-6:2016半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管
IEC 60747-5-6:2021半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管
IEC 60191-4:2002半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
IEC 60191-4:1987半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
IEC 62007-2:1997光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法
IEC 60747-5-6:2021 RLV半导体器件第5-6部分:光电子器件发光二极管
IEC 60747-5-5:2020半导体器件第5-5部分:光电子器件光电耦合器
IEC 60191-4:1999半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
IEC 60191-4:2013半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
IEC 60191-4:2018半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
IEC 60191-6:1990半导体器件的机械标准化 第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
IEC 60191-6:2004半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
IEC 60191-6:2009半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
IEC PAS 62240:2001制造商规定温度范围外的半导体器件的使用
IEC 60191-4/AMD1:2001半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统修改1
IEC 60191-4/AMD2:2002半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统.修改件2
IEC 62007-2:1999纤维光学系统用半导体光电器件 第2部分:测量方法
IEC 60747-18-2:2020半导体器件.第18-2部分:半导体生物传感器.无透镜CMOS光子阵列传感器组件的评估过程
IEC 60191-6/AMD1:1999半导体器件的机械标准化 第6部分:绘制表面安装半导体器件封装外形图的一般规则 修改1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统.修改件1
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电器件.光电耦合器
IEC 60747-5-5:2013半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电器件.光电耦合器
国家质检总局,关于紫外光 半导体的标准
GB/T 15167-1994半导体激光光源总规范
GB/T 31358-2015半导体激光器总规范
GB/T 29856-2013半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法
GB 15651.4-2017半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器
GB/T 7092-1993半导体集成电路外形尺寸
GB/T 7581-1987半导体分立器件外形尺寸
GB/T 31359-2015半导体激光器测试方法
GB/T 17574.9-2006半导体器件.集成电路.第2-9部分:数字集成电路.紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
GB 12565-1990半导体器件 光电子器件分规范
GB/T 11417.9-2012眼科光学.接触镜.第9部分:紫外和可见光辐射老化试验(体外法)
GB/T 11493-1989半导体集成电路外壳空白详细规范
GB/T 15529-1995半导体发光数码管空白详细规范
GB/T 15649-1995半导体激光二极管空白详细规范
GB/T 29299-2012半导体激光测距仪通用技术条件
GB/T 36356-2018功率半导体发光二极管芯片技术规范
GB/T 15878-2015半导体集成电路小外形封装引线框架规范
GB/T 15651.6-2023半导体器件 第5-6部分:光电子器件发光二极管
GB/T 36357-2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范
GB/T 21548-2008光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法
GB/T 14862-1993半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法
GB/T 24370-2009硒化镉量子点纳米晶体表征.紫外-可见吸收光谱方法
GB/T 36359-2018半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范
GB/T 36360-2018半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范
GB/T 12565-1990半导体器件光电子器件分规范 (可供认证用)
中国团体标准,关于紫外光 半导体的标准
T/CASME 698-2023半导体激光治疗仪
T/JGXH 008-2020全固态半导体激光器
T/QGCML 1407-2023半导体光伏制造用双套管密封装置
T/CZSBDTHYXH 001-2023半导体晶圆缺陷自动光学检测设备
T/NAIA 0193-2023单链抗体真核表达质粒DNA 浓度与纯度的测定 紫外分光光度法
吉林省地方标准,关于紫外光 半导体的标准
DB22/T 2725-2017980 nm光纤光栅半导体激光器
RU-GOST R,关于紫外光 半导体的标准
GOST 24458-1980半导体光偶.基本参数
GOST R 50471-1993半导体光电发射体.半值角的测量方法
GOST 23900-1987电力半导体器件.外形和连接尺寸
GOST 23448-1979半导体红外线辐射二极管.基本尺寸
GOST 27591-1988电力半导体组件.外形尺寸和连接尺寸
GOST 19834.4-1979红外辐射半导体二极管.辐射功率测量方法
GOST 27299-1987半导体光电子器体.术语、定义和参数的字母代号
GOST R 59605-2021光学和光子学 半导体光电探测器 光电和光接收器件 术语和定义
GOST 17704-1972半导体器件.光电式辐射能接收器.分类和代号体系
GOST 21934-1983半导体光电式和光接收辐射接收机式装置.术语和定义
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会,关于紫外光 半导体的标准
GB/T 15651.4-2017半导体器件 分立器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器
行业标准-核工业,关于紫外光 半导体的标准
EJ/T 296.2-2014尿中微量铀的测定紫外光液体荧光法
EJ/T 20057-2014大气沉降物中铀浓度测定紫外液体荧光法
国际标准化组织,关于紫外光 半导体的标准
ISO 10677:2011精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).检测半导光催化材料用紫外线源
ISO/TS 17915:2013光学和光电.传感用半导体激光器测量方法
ISO 17915:2018光学和光子学.传感用半导体激光器测量方法
ISO/TS 17466:2015在镉硫胶体量子点表征中使用紫外-可见吸收光谱法
机械工业部,关于紫外光 半导体的标准
JB/T 6306-1992电力半导体模块外形尺寸
福建省地方标准,关于紫外光 半导体的标准
DB35/T 1193-2011半导体发光二极管芯片
美国国防后勤局,关于紫外光 半导体的标准
DLA SMD-5962-88635 REV A-1993紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999半导体装置,NPN硅光晶体管,类型2N986
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007硅单片,紫外线可擦除可程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字微电路
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007硅单片,紫外线可消除可程序化逻辑设置,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可编程逻辑阵列,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-91772-1993硅单块 互补金属氧化物半导体,紫外可擦拭逻辑阵列,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-93248-1993硅单片,电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字存储微电路
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005硅单片紫外线擦除可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005硅单块 8KX8紫外可擦除可程序化只读存储器,氧化物半导体数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-91584-1992硅单块 紫外可擦拭编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007硅单块 紫外擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007硅单片紫外线擦写的可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
DLA SMD-5962-89476-1992硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
DLA SMD-5962-93245-1993硅单片,扩展电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007硅单片,32K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006硅单片,4K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006硅单块 144比特(32KX8)紫外可擦拭程序262互补金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
DLA MIL-PRF-19500/467 A-20081N5765 JAN和TX型发光二极管半导体装置
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006硅单块64K X8紫外线消除式可程序化只读存储器,,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA QPL-28830-QPD-2011电缆,射频,同轴,半刚性,波纹外导体,通用规范
DLA QPL-28830-2013电缆,射频,同轴,半刚性,波纹外导体,通用规范
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006硅单块 互补金属氧化物半导体64X 16比特紫外线扩展可编程序只读存储器,数字主体存储器微型电路
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007硅单片,2K X 8寄存的紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93122-1993硅单片,2K X 16状态机紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA MIL-DTL-28830 D-2005波纹外导体半刚性同轴射频电缆的一般规定
DLA QPL-28830-13 NOTICE 1-2008瓦楞外导体半刚性同轴射频电缆的通用规范
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006硅单块 2K X8注册的紫外线消除式可程序化只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA QPL-28830-13-2007波纹外导体半刚性无线射频同轴电缆一般规格
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可擦去同步记名的可编程序逻辑设备,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007硅单片8K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
行业标准-机械,关于紫外光 半导体的标准
JB/T 5631-1991半导体器件外延炉 能耗标准
JB/T 8175-1999电力半导体器件用型材散热体.外形尺寸
IN-BIS,关于紫外光 半导体的标准
IS 5000 OD.15-1973半导体器件尺寸 器件外形 OD15
IS 5000 OD.16-1973半导体器件尺寸 器件外形 OD16
IS 5000 OD.30-1981半导体器件尺寸 器件外形 OD30
IS 5000 OB.1-1969半导体器件基本外形尺寸 OB1
IS 5000 OB.5-1969半导体器件基本外形尺寸 OB5
IS 5000 OB.2-1969半导体器件基本外形尺寸 OB2
IS 5000 OB.6-1969半导体器件基本外形尺寸 OB6
IS 5000 OB.7-1969半导体器件基本外形尺寸 OB7
IS 5000 OB.4-1969半导体器件基本外形尺寸 OB4
IS 5000 OD.4-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD4
IS 5000 OD.7-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD7
IS 5000 OD.9-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD9
IS 5000 OD.1-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD1
IS 5000 OD.6-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD6
IS 5000 OD.2-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD2
IS 5000 OD.5-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD5
IS 5000 OD.8-1969半导体器件尺寸 器件外形 OD8
IS 5000 OD.31-1981半导体器件尺寸 器件外形 OD31
IS 5000 OD.13-1971半导体器件尺寸 器件外形 OD13
IS 5000 OD.19-1974半导体器件尺寸 器件外形 OD19
IS 5000 OD.12-1971半导体器件尺寸 器件外形 OD12
IS 5000 OD.18-1974半导体器件尺寸 器件外形 OD18
IS 5000 OD.14-1971半导体器件尺寸 器件外形 OD14
IS 5000 OD.33-1981半导体器件尺寸 器件外形 OD33
IS 5000 OD.10-1971半导体器件尺寸 器件外形 OD1O
IS 5000 OD.17-1974半导体器件尺寸 器件外形 OD17
IS 5000 OD.35-1981半导体器件尺寸 器件外形 OD35
IS 5000 OD.11-1971半导体器件尺寸 器件外形 OD11
IS 5000 OD.21-1979半导体器件尺寸 器件外形 OD 21
IS 5000 OD.23-1978半导体器件尺寸 器件外形 OD 23
IS 5000 OD.28-1978半导体器件尺寸 器件外形 OD 28
IS 5000 OD.20-1978半导体器件尺寸 器件外形 OD 20
IS 5000 OD.26-1978半导体器件尺寸 器件外形 OD 26
IS 5000 OD.27-1978半导体器件尺寸 器件外形 OD 27
IS 5000 OD.22-1978半导体器件尺寸 器件外形 OD 22
IS 5000 OD.25-1978半导体器件尺寸 器件外形 OD 25
IS 5000 OD.24-1979半导体器件尺寸 器件外形 OD 24
IS 5000 OD.29-1979半导体器件尺寸 器件外形 OD 29
IS 5000 OD.36-1981半导体器件尺寸 器件外形图 36
IS 5000 OD.37-1982半导体器件尺寸 器件外形尺寸 OD 37
IS 12737-1988半导体 X 射线能量光谱仪的标准测试程序
地方标准,关于紫外光 半导体的标准
CNS 13805-1997光电半导体晶圆之光激光谱量测法
RO-ASRO,关于紫外光 半导体的标准
STAS 12258/6-1987光电半导体器件.红外发射二极管术语和基本特性
STAS 12258/3-1985光电半导体器件.光电晶体管术语和基本特性
STAS 12258/7-1987光电半导体器件.光电池术语和基本特性
STAS 12258/2-1984光电半导体装置.光电二极管术语和基本特性
STAS 12258/4-1986光电半导体设备.发光二极管术语和主要特性
STAS 12258/5-1986光电半导体.设备显示.术语和基本特性
STAS 12258/1-1984光电半导体器件总体基本参数的总术语和命名
SR CEI 748-11-1-1992半导体设备.集成电路.第11部分:第1部分:除混合电路外的半导体集成电路的内部视觉检查
(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于紫外光 半导体的标准
JEDEC JESD22-B118-2011半导体晶圆和芯片背面外部外观检查
JEDEC JEP78-1969半导体红外线探测仪的相对频谱响应曲线
HU-MSZT,关于紫外光 半导体的标准
MSZ 700/27.lap-1962意法半导体测试闪光定义
IET - Institution of Engineering and Technology,关于紫外光 半导体的标准
DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998分布式反馈半导体激光器
PL-PKN,关于紫外光 半导体的标准
PN T01305-1992半导体器件.集成电路.除混合电路外的半导体集成电路分规范
德国标准化学会,关于紫外光 半导体的标准
DIN 41885:1976101型半导体器件外壳.主要尺寸
DIN 41877:1971半导体器件用6A3型外壳.主要尺寸
DIN 41888:1976.106和107型半导体器件的外壳.主要尺寸
DIN 41871:1971半导体器件用1A2和1A3型外壳.主要尺寸
DIN 41884:1971半导体器件用118 A 2型外壳.主要尺寸
DIN EN 60191-4:2003半导体器件机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形状编码系统和分类
DIN 41814-2:1976半导体器件外壳.第2部分:160 至 168 型外壳.主要尺寸
DIN EN 60191-6:2010-06半导体器件机械标准化第6部分:表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN 50449-2:1998半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
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DIN EN 60191-6-2:2002-09半导体器件机械标准化第6-2部分:表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-6:2002-02半导体器件机械标准化第6-6部分:表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-3:2001-06半导体器件机械标准化第6-3部分:表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-1:2002-08半导体器件机械标准化第6-1部分:表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
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DIN 5032-9:2015-01光度测定 第9部分:非相干发射半导体光源的光度量的测量
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CSN 35 8762-1973半导体设备.光电晶体管光电二极管.暗电流测量
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LST EN 60191-6-2010半导体器件机械标准化第6部分:表面贴装半导体器件封装外形图制作通用规则(IEC 60191-6:2009)
LST EN 60191-6-22-2013半导体器件机械标准化 第6-22部分:表面贴装半导体器件封装外形图准备的一般规则 半导体封装硅细间距球栅阵列和硅的设计指南
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未注明发布机构,关于紫外光 半导体的标准
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河北省标准,关于紫外光 半导体的标准
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电子与信息技术协会(US-GEIA改名为US-TECHAMERICA),关于紫外光 半导体的标准
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GEIA SP4900-2002生产商规定温度范围以外的半导体器件的使用
SAE - SAE International,关于紫外光 半导体的标准
SAE EIA-4900-2016在制造商指定的温度范围之外使用半导体设备
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PQC 8 ISSUE 1-1996半导体光电器件空白详细规范:具有光电晶体管输出评估级别类别 I II 或 III 的环境或外壳额定光电耦合器
PH-BPS,关于紫外光 半导体的标准
PNS ISO/TS 17466:2021紫外-可见吸收光谱在硫化镉胶体量子点表征中的应用
美国通用公司(北美),关于紫外光 半导体的标准
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AENOR,关于紫外光 半导体的标准
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