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存储器检测标准是什么？检验哪些指标？检测周期多久呢？测试哪些项目呢？我们只做真实检测。我们严格按照标准进行检测和评估，确保检测结果的准确性和可靠性。同时，我们还根据客户的需求，提供个性化的检测方案和报告，帮助厂家更好地了解产品质量和性能。
检测项目（参考）：
全“1”全“0”、输入高、低电平电流、输出低电平电压VOL、输出高电平电压VOH、静态条件下的电源电流、功能特性、较高工作频率、电源电流、输入低电平电压、输入电平电流、输入高电平电压、输出低电平电压、输出负载电流、输出高电平电压、地址存取时间tAA、片选存取时间tAC、电源电压、输入负载电流II、工作状态时电源电流ICC、全“0”全“1”功能测试、工作状态电源电流 ICC、校验板功能测试、维持状态电源电流 ICCS、输入负载电流 ILI、输出低电平电压VOL、输出高电平电压VOH、传输时间、保持时间、动态电源电流、存储单元0变1功能、存储单元1变0功能、延迟时间、建立时间、特殊数据图形功能、输入低电平、输入低电平电流、输入高电平、输入高电平电流、输出低电平、输出漏电流、输出高电平、静态电源电流、功能测试（全“1”全“0”）、功能测试（棋盘格）、输入高电平电流IIH、输入低电平电流IIL、静态条件下的电源电流IBB、静态条件下的电源电流IDD、静态条件下的电源电流IBB、输入高电平电流IIH、输入低电平电流IIL、输入负载电流ILI、静态条件下的电源电流ISB、片选存取时间tAC、输入低电平电压VIL、输出高阻态电流IOZL、动态条件下的总电源电流ICC、输入负载电流I、动态条件下的总电源电流I、地址存取时间t、片选存取时间t、静态条件下的电源电流IDD、地址存取时间tAA、低温工作寿命检测、低温读写、常温读写＋保存数据退化及只读检测、接口协议检测、擦写读取检测、无偏压高加速温湿度寿命检测(UHAST)、早夭期寿命检测、温度循环检测（TC）、湿敏等级检测、电气参数检测、芯片的 DPI 传导抗扰度、芯片的 EFT 传导抗扰度、芯片的 PESD 传导抗扰度、芯片辐射电场抗扰度、闩锁检测（Latch-up）、静态高温长时间保存下数据退化检测、静电放电-人体模型检测（ESD-HBM）、静电放电-带电器件模型检测（ESD-CDM）、预处理检测、高加速温湿度寿命检测（HAST）、高温存储检测（HTSL）、高温工作寿命检测、高温读写＋保存数据退化检测、写恢复时间、功能、地址存取时间、较小写脉冲的持续时间脉宽、片选存取时间、读存取时间、输入高电平电流和输入低电平电流、输出短路电流、输出高电平电压和输出低电平电压
检测标准一览：
1、SJ/T 10739-96 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96
2、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998
3、SJ/T10739-96 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 第4.1条
4、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路第 第II篇 第3.6.2.1
5、SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理SJ/T 10739-1996第2.1、2.2、2.3、2.6、4条
6、T/CIE070—2020 工业级高可靠集成电路评价 第 4 部分：非易失性存储器 5.6.3
7、GB/T 36477-2018 《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》 GB/T 36477-2018
8、GB/T 36477-2018 《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》 5.7
9、SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996
10、T/CIE 070—2020 工业级高可靠集成电路评价 第 4 部分：非易失性存储器 5.7.3
11、GB/T17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 IV.3.6
检测报告用途
商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。
检测周期
一般3-10个工作日（特殊样品除外），具体请咨询客服。
检测报告有效期
一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。常规来说只要测试没更新，测试不变检测报告一直有效。如果是用于过电商平台，还要看平台或买家的要求。
检测费用价格
因测试项目及实验复杂程度不同，具体请联系客服确定后进行报价。
检测流程步骤
第三方检测机构平台
百检网汇集众多CNAS、CMA、CAL等资质的检测机构遍布全国，检测领域包括食品、环境、建材、电子、化工、汽车、家居、纺织品、农产品等，具体请咨询在线客服。
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