绝缘栅双极晶体管（IGBT）检验机构

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绝缘栅双极晶体管（IGBT）检测哪些项目？检测周期多久呢？测试方法有哪些？我们严格按照标准进行检测和评估，确保检测结果的准确性和可靠性。同时，我们还根据客户的需求，提供个性化的检测方案和报告，帮助厂家更好地了解产品质量和性能。百检第三方检测机构支持寄样、上门检测，主要为公司、企业、事业单位、个体商户、高校科研提供样品检测服务，报告CMA/CNAS/CAL资质，真实有效。做检测，找百检！

检测项目（参考）：

发射极—集电极的击穿电压V_(BR)ECO、栅极—发射极的漏电流I_GES、栅极阈电压V_GE(th)、正向跨导g_m、集电极—发射极的击穿电压V_(BR)CEO、集电极—发射极的饱和电压V_CEsat、零栅压时的集电极电流I_CES、关断期间的各时间间隔和关断能量、反向传输电容、开通期间的各时间间隔和开通能量、较大集电极峰值电流、较大集电极电流、栅极漏电流IGES、栅极电荷、栅极－发射极阈值电压VGEth、输入电容、输出电容、集电极-发射极击穿电压V(BR)CES、集电极截止电流ICES、集电极－发射极电压、集电极－发射极短路时的栅极－发射极电压、集电极－发射极饱和电压VCEsat、栅极-发射极阈值电压、栅极漏电流、稳态湿热偏置寿命、结－壳热阻、间歇工作寿命（负载循环）、集电极-发射极饱和电压、集电极截止电流、高温栅极偏置、高温阻断、集电极－发射极饱和电压、栅极－发射极阈值电压、较大反偏安全工作区、较大短路安全工作区1、较大短路安全工作区2、开通期间的各时间间隔（td(on)、tr、ton）和开通能量Eon、关断期间的各时间间隔（td(off)、tf、toff、tz）和关断能量Eoff、结－壳热阻和结－壳瞬态热阻抗、集电极-发射极击穿电压、发射极—集电极的击穿电压、栅极—发射极的漏电流、栅极阈电压、集电极—发射极的击穿电压、集电极—发射极的饱和电压、零栅压时的集电极电流、正向跨导

检测标准一览：

1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5

2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3

3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5

4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4

5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2

6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

7、GB/T 4587-1994 半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994

8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9

9、IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法第5部分：稳态湿热偏置寿命试验

10、GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

11、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 Ⅳ2

12、 GB/T 29332-201 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3

14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4

15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2

16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3

17、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994

18、 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12

20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11

检测时间周期

一般3-10个工作日（特殊样品除外），具体请咨询客服。

检测报告用途

商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。

如果您对产品品质和安全性能有严格要求，不妨考虑选择我们的检测服务。让我们助您一臂之力，共创美好未来。

检测流程步骤

第三方检测机构平台

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