标准简介：本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm-3到硅中间隙氧的*大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量（原子数）的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的*大固溶度。

标准号：GB/T 1557-2018

标准名称：硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

英文名称：Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2018-09-17

实施日期：2019-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77.040金属材料试验

替代以下标准：替代GB/T 1557-2006

起草单位：新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家市场监督管理总局.