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检测执行标准信息一览：
标准简介：本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
标准号：GB/T 6621-2009
标准名称：硅片表面平整度测试方法
英文名称：Testing methods for surface flatness of silicon slices
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料
替代以下标准：替代GB/T 6621-1995
起草单位：上海合晶硅材料有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布单位：国家质量监督检验检疫.
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