标准简介：本标准规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本标准适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向<100>、电阻率(0.1～100)Ω·cm的Low-COP抛光片。

标准号：GB/T 41325-2022

标准名称：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

英文名称：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2022-03-09

实施日期：2022-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料

起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家市场监督管理总局.