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检测执行标准信息一览：
标准简介：本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。
标准号：GB/T 14847-2010
标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
标准状态：现行
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料
替代以下标准：替代GB/T 14847-1993
起草单位：宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T
发布单位：国家质量监督检验检疫.
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