标准简介：本文件规定了电容?电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容?电压法和无接触电容?电压法。本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容?电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。

标准号：GB/T 14146-2021

标准名称：硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法

英文名称：Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2021-05-21

实施日期：2021-12-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77.040金属材料试验

替代以下标准：替代GB/T 14146-2009

起草单位：南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司等

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家市场监督管理总局.