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检测执行标准信息一览：
标准简介：本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。
标准号：GB/T 14145-1993
标准名称：硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
英文名称：Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
标准状态：作废
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H24金相检验方法
国际标准分类号（ICS）：29.040.30
起草单位：上海有色金属研究所
归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
发布单位：国家技术监督局
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