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GB/T13539.4-2009低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

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标准简介:本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:a) 熔断体的下列特性:1) 额定值;2) 正常工作时的温升;3) 耗散功率;4) 时间?电流特性;5) 分断能力;6) 截断电流特性和犐2狋特性;7) 电弧电压极限值。b) 验证熔断体特性的型式试验;c) 熔断体标志;d) 应提供的技术数据(见附录B)。

标准号:GB/T 13539.4-2009

标准名称:低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

英文名称:Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

标准类型:国家标准

标准性质:推荐性

标准状态:作废

发布日期:2009-04-21

实施日期:2009-11-01

中国标准分类号(CCS):电工>>低压电器>>K31低压配电电器

国际标准分类号(ICS):电气工程>>电工器件>>29.120.50熔断器和其他过载保护

替代以下标准:替代GB/T 13539.4-2005;GB/T 13539.7-2005;被GB/T 13539.4-2016代替

起草单位:上海电器科学研究所 集团有限公司、上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂等

归口单位:全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)

发布单位:国家质量监督检验检疫.

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