标准简介：本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。 本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3～1×1020cm-3，掺磷浓度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，掺砷浓度1019 cm-3～6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。 本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算，但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算，或任何其他载流子浓度的换算。

标准号：GB/T 13389-2014

标准名称：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2014-12-31

实施日期：2015-09-01

中国标准分类号（CCS）：>>>>  >>>>80

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 13389-1992

起草单位：有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国

发布单位：国家质量监督检验检疫.