标准简介：本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法　方阻测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下变动：———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法　方阻测定；———增加低温固化型浆料方阻的测定方法；———原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……”修改为：“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”；———测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为０ｍｍ～５ ｍｍ，精度为０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型浆料：范围为０ｍｍ～５ｍｍ，精度为０．００１ｍｍ。

标准号：GB/T 17473.3-2008

标准名称：微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定

英文名称：Test methods of precious metals pastes used for microelectronics Determination of sheet resistance

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2008-03-31

实施日期：2008-09-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>有色金属及其合金产品>>H68贵金属及其合金

国际标准分类号（ICS）：冶金>>有色金属>>77.120.99其他有色金属及其合金

替代以下标准：替代GB/T 17473.3-1998

起草单位：贵研铂业股份有限公司

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.