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检测执行标准信息一览：
标准简介：本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL２浓度红外吸收测试方法。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。
标准号：GB/T 17170-1997
标准名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
英文名称：Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
标准状态：作废
发布日期：1997-01-02
实施日期：1998-08-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料
替代以下标准：SJ 3249.4-1989;被GB/T 17170-2015代替
起草单位：电子工业部第四十六研究所
归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
发布单位：国家技术监督局
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